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"1년에 1개씩 라인 확장" 삼성 반도체 공격 투자

최승진 기자

오찬종 기자

이새하 기자

입력 : 
2022-11-16 17:46:23
수정 : 
2022-11-16 17:55:52

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파운드리 생산 확대 속도전
메모리선 신기술로 '초격차'
◆ 삼성 공격투자 ◆
전 세계 수요 위축에 따라 '반도체 혹한기'가 찾아온 가운데 삼성전자가 반도체 부문에서 오히려 공격적 투자에 나선다. 매년 새로운 팹(Fab·공장)을 하나씩 신설해 파운드리 시장 영향력을 확대하고, 메모리 부문에서는 차세대 인터페이스인 '컴퓨트 익스프레스 링크(CXL·Compute Express Link) 기반 D램 등으로 수요를 창출한다는 계획이다.

삼성전자는 최근 싱가포르에서 진행한 투자자 포럼에서 이 같은 내용이 포함된 사업 전략을 전격 공개했다. 가장 눈에 띄는 부분은 파운드리 부문에서 공개한 '1년에 팹 1곳 신설(One Year One New Fab)' 전략이다. 반도체 생산이 가능한 '클린룸'을 먼저 짓고 수요에 따라 설비를 구축하는 전략을 구체화한 것이다. 클린룸을 구축하는 데 6개월이 소요되는 만큼, 시장 상황에 발 빠르게 대응하기 위해 클린룸부터 짓고 추가 설비는 수요에 따라 선택적으로 도입해 시장점유율을 높이겠다는 복안이다. 삼성전자는 이 같은 방식을 이용해 파운드리 생산 능력을 기존의 3.4배로 늘린다는 방침이다. 심상필 삼성전자 파운드리 부사장은 "수요가 많은 만큼 공격적으로 팹을 확대해나갈 계획"이라고 말했다.

삼성전자가 세계 1위 위치를 공고하게 유지하고 있는 메모리 부문에서는 CXL D램·3D IC D램·메모리 애즈 어 서비스(Memory-as-a-Service) 등 3개 분야를 중심으로 신사업 전략을 수립했다. CXL은 여러 인터페이스를 하나로 통합해 장치 간 직접 통신을 가능하게 하고, 메모리를 공유하게 해 대역폭과 용량을 획기적으로 확장하는 기술이다. 인텔을 비롯한 중앙처리장치(CPU), 메모리, 그래픽처리장치(GPU), 서버, 소프트웨어 등 다양한 분야 기업이 컨소시엄에 참여해 논의하고 있다. CXL D램은 메인 D램과 더불어 서버 1대당 메모리 용량을 수십 테라바이트(TB) 이상으로 확장할 수 있는 솔루션이다. 3D IC 패키지는 서로 다른 종류의 칩을 웨이퍼 상태로 적층해 하나의 패키지로 만드는 기술이다. 기존에는 CPU와 메모리를 별도로 탑재했지만 한 패키지로 구현하면 데이터 이동이 빨라져 전송 속도를 개선할 수 있다.

[최승진 기자 / 오찬종 기자 / 이새하 기자]

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